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LF353DR
器件3D模型
2.333
LF353DR 数据手册 (20 页)
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LF353DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
3.6 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
0.5 W
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
10.0 µV/K
带宽
3 MHz
转换速率
13.0 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
5 mV
输入偏置电流
50 pA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
3 MHz
耗散功率(Max)
500 mW
共模抑制比(Min)
70 dB

LF353DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.5 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LF353DR 数据手册

TI(德州仪器)
20 页 / 1.18 MByte
TI(德州仪器)
3 页 / 0.05 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

LF353 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF353P  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF353MX/NOPB  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 10V 至 36V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF353N/NOPB  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, 10V 至 36V, DIP, 8 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
LF347、LF351、LF353、JFET 输入、低输入偏置和偏置电流运算放大器LF347、LF351 和 LF353 是高速 JFET 输入运算放大器,包含匹配的、高电压 JFET 和双极晶体管。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。### 运算放大器,STMicroelectronics
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LF353N  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 18V, DIP, 8 引脚
ON Semiconductor(安森美)
家庭JFET运算放大器 FAMILY OF JFET OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB.  四路运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LF353N  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 18V, DIP, 8 引脚
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