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LM258QT
器件3D模型
0.177
LM258QT 数据手册 (23 页)
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LM258QT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
DFN-8
输出电流
60 mA
供电电流
700 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
60 dB
增益频宽积
1.1 MHz
输入补偿电压
5 mV
输入偏置电流
0.02μA @5V
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
1.1 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB

LM258QT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.55 mm
工作温度
-40℃ ~ 105℃

LM258QT 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 3.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 2.06 MByte

LM258 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单电源双运算放大器 Single Supply Dual Operational Amplifiers
ON Semiconductor(安森美)
LM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258DR.  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258ADR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258P  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258ADGKR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, MSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258D  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
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