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LM2901N
器件3D模型
0.146
LM2901N 数据手册 (10 页)
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LM2901N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
DIP-14
输出电流
18mA @5V
供电电流
2 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
功耗
570 W
静态电流
800 µA
输入补偿电压
7 mV
输入偏置电流
250 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
570 mW
电源电压
2V ~ 36V

LM2901N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
19.8 mm
宽度
6.4 mm
高度
3.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 105℃

LM2901N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.03 MByte

LM2901 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901DR  芯片, 电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901PWR  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, TSSOP, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM2901DT  模拟比较器, 四路, 精密电压, 4, 1.3 µs, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901N  模拟比较器, 四路, 电压, 4, 300 ns, 2V 至 36V, ± 1V 至 ± 18V, DIP, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM2901D.  模拟比较器, 四路, 差分, 4, 300 ns, 2V 至 36V, SOIC, 14 引脚
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 比较器,ON Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics高速比较器,提供快速响应时间 低功耗比较器,工作电流低至 210nA 过热规格设备 汽车等级比较器符合 AEC-Q100 和 AEC-Q101 规格 ### 比较器,STMicroelectronics
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  LM2901NG.  四电压比较器
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics高速比较器,提供快速响应时间 低功耗比较器,工作电流低至 210nA 过热规格设备 汽车等级比较器符合 AEC-Q100 和 AEC-Q101 规格 ### 比较器,STMicroelectronics
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