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器件3D模型
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LM319D 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
比较器
封装:
SOIC-14
描述:
STMICROELECTRONICS LM319D 模拟比较器, 精度, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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LM319D 数据手册 (13 页)
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在
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在
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LM319D 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
5.00V (min)
封装
SOIC-14
输出电流
200 nA
供电电流
4.3 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
14 Position
功耗
830 W
输入补偿电压
8 mV
输入偏置电流
1000 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
830 mW
电源电压
5V ~ 15V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
5 V
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LM319D 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
0℃ ~ 70℃
查看数据手册 >
LM319D 符合标准
LM319D 概述
●
比较器 通用 开路集电极,开路发射极,TTL 14-SO
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LM319D 数据手册
LM319D
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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LM319 数据手册
LM319
DT
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS LM319DT 双电压比较器
LM319
MX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM319MX/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
LM319
N/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM319N/NOPB 双电压比较器
LM319
M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM319M/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
LM319
AM/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
Texas Instruments 的一系列高速电压比较器具有短于 200 ns 的响应时间。 该系列包括超快速设备,如具有互补(差分)输出和 10 ns 或更短的典型切换时间的 TL3016 和 TL3116。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
LM319
AMX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
模拟比较器, 高速, 2个比较器, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
LM319
MX
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR LM319MX 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOP, 14 引脚
LM319
AM
数据手册
TI(德州仪器)
双路高速高电压比较器 14-SOIC 0 to 70
LM319
N
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS LM319N 模拟比较器, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, DIP, 14 引脚
LM319
N
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR LM319N 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, DIP, 14 引脚
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