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LM319M/NOPB
器件3D模型
0.705
LM319M/NOPB 数据手册 (13 页)
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LM319M/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
供电电流
4.3 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
14 Position
功耗
500 mW
静态电流
4.30 mA
输入补偿电压
8 mV
输入偏置电流
1000 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
500 mW
电源电压
5V ~ 36V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
5 V

LM319M/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
8.64 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.45 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LM319M/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.94 MByte
TI(德州仪器)
9 页 / 0.46 MByte
TI(德州仪器)
13 页 / 0.51 MByte

LM319 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM319DT  双电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM319MX/NOPB  模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM319N/NOPB  双电压比较器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM319M/NOPB  模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments 的一系列高速电压比较器具有短于 200 ns 的响应时间。 该系列包括超快速设备,如具有互补(差分)输出和 10 ns 或更短的典型切换时间的 TL3016 和 TL3116。### 比较器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装,还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备,但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作,附带适当反馈,而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟,且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压,且很多比较器具有开路集电极输出,从而可与其他设备并联操作。
TI(德州仪器)
模拟比较器, 高速, 2个比较器, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LM319MX  模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOP, 14 引脚
TI(德州仪器)
双路高速高电压比较器 14-SOIC 0 to 70
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  LM319N  模拟比较器, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, DIP, 14 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LM319N  模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, DIP, 14 引脚
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