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器件3D模型
¥ 1.965
TPS28225DRBT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
VSON-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS TPS28225DRBT 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SON-8
Pictures:
3D模型
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TPS28225DRBT 数据手册 (38 页)
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TPS28225DRBT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
VSON-8
上升/下降时间
10 ns
输出接口数
2 Output
输出电流
6 A
针脚数
8 Position
功耗
2580 mW
上升时间
10 ns
输出电流(Max)
4 A
下降时间
5 ns
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
10 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2580 mW
电源电压
4.5V ~ 8.8V
电源电压(Max)
8 V
电源电压(Min)
4.5 V
查看数据手册 >
TPS28225DRBT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.88 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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TPS28225DRBT 符合标准
TPS28225DRBT 海关信息
TPS28225DRBT 概述
●
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments
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TPS28225DRBT
数据手册
TI(德州仪器)
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TPS28225
DR
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高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Driver
TPS28225
D
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS28225D 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SOIC-8
TPS28225
DRBR
数据手册
TI(德州仪器)
高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Driver
TPS28225
DRBT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS28225DRBT 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SON-8
TPS28225
TDRBRQ1
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高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers
TPS28225
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