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LM5104M/NOPB
器件3D模型
2.827
LM5104M/NOPB 数据手册 (23 页)
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LM5104M/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
14.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
600 ns
输出接口数
2 Output
静态电流
400 µA
上升时间
600 ns
下降时间
600 ns
下降时间(Max)
600 ns
上升时间(Max)
600 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
9V ~ 14V

LM5104M/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5104M/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
23 页 / 0.97 MByte

LM5104 数据手册

TI(德州仪器)
具有自适应延迟的高电压半桥接闸极驱动器
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
MOSFET驱动器, 半桥, 9 V至14 V电源, 1.8 A输出, 15 ns上升与下降时间, SOIC-8
TI(德州仪器)
门驱动器 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay 10-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5104M  双路芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 25ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
高压半桥门极驱动器,具有自适应延迟 High Voltage Half-Bridge Gate Driver with Adaptive Delay
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