Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > LM5109BMAX/NOPB Datasheet 文档
LM5109BMAX/NOPB
器件3D模型
0.344
LM5109BMAX/NOPB 数据手册 (24 页)
查看文档
或点击图片查看大图

LM5109BMAX/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
15 ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
静态电流
200 µA
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
15 ns
上升时间(Max)
15 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
8 V

LM5109BMAX/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5109BMAX/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
24 页 / 1.35 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 1.58 MByte

LM5109 数据手册

National Semiconductor(美国国家半导体)
100V / 1A峰值半桥栅极驱动器 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
LM5109BMAX /NOPB 编带
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109BSD/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 32ns延迟, WSON-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109ASD/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109AMA/NOPB  驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
高电压 1A 峰值半桥接闸极驱动器
TI(德州仪器)
具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 8-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5109BMA  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 27ns延迟, SOIC-8
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z