Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > LM5110-1SD/NOPB Datasheet 文档
LM5110-1SD/NOPB
2.879
LM5110-1SD/NOPB 数据手册 (20 页)
查看文档
或点击图片查看大图

LM5110-1SD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
封装
WDFN-10
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
静态电流
1.00 mA
上升时间
25 ns
下降时间
25 ns
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.5V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
3.5 V

LM5110-1SD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5110-1SD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
20 页 / 0.96 MByte
TI(德州仪器)
129 页 / 9.44 MByte
TI(德州仪器)
27 页 / 1.5 MByte

LM51101 数据手册

TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5110-1M/NOPB  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
TI(德州仪器)
LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z