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器件3D模型
¥ 0.79
LM5111-1MX 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
LM5111-1MX 数据手册 (24 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
18 页
20 页
21 页
典型应用电路图
在
11 页
12 页
原理图
在
9 页
LM5111-1MX 数据手册
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LM5111-1MX 数据手册 (24 页)
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LM5111-1MX 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
14ns, 12ns
输出接口数
2 Output
静态电流
1.00 mA
下降时间(Max)
25 ns
上升时间(Max)
25 ns
电源电压
3.5V ~ 14V
查看数据手册 >
LM5111-1MX 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >
LM5111-1MX 符合标准
LM5111-1MX 数据手册
LM5111-1MX
数据手册
TI(德州仪器)
24 页 / 0.93 MByte
LM5111-1MX
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
12 页 / 0.28 MByte
LM51111 数据手册
LM5111-1M/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
LM5111-1MY/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1MY/NOPB 双功率驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, MSOP-8
LM5111-1MX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1MYX/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1M
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1M 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
LM5111-1MX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1MY
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1MY 双功率驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, MSOP-8
LM5111-1MYX
数据手册
TI(德州仪器)
LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1MX/NOPB
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National Semiconductor(美国国家半导体)
LM5111-1M/NOPB
数据手册
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