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器件3D模型
¥ 2.241
LM5113TME/NOPB 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WFBGA-12
描述:
TEXAS INSTRUMENTS LM5113TME/NOPB 半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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LM5113TME/NOPB 数据手册 (21 页)
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LM5113TME/NOPB 数据手册
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LM5113TME/NOPB 数据手册 (21 页)
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LM5113TME/NOPB 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
12 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
WFBGA-12
上升/下降时间
7ns, 1.5ns
输出接口数
2 Output
针脚数
12 Position
上升时间
4 ns
下降时间
4 ns
下降时间(Max)
4 ns
上升时间(Max)
4 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V
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LM5113TME/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >
LM5113TME/NOPB 符合标准
LM5113TME/NOPB 海关信息
LM5113TME/NOPB 概述
●
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 12-DSBGA
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LM5113TME/NOPB 数据手册
LM5113TME/NOPB
数据手册
TI(德州仪器)
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LM5113
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TEXAS INSTRUMENTS LM5113TME/NOPB 半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12
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LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
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