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LM5113TME/NOPB
2.241
LM5113TME/NOPB 数据手册 (21 页)
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LM5113TME/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
12 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
WFBGA-12
上升/下降时间
7ns, 1.5ns
输出接口数
2 Output
针脚数
12 Position
上升时间
4 ns
下降时间
4 ns
下降时间(Max)
4 ns
上升时间(Max)
4 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

LM5113TME/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

LM5113TME/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
21 页 / 2.32 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.22 MByte

LM5113 数据手册

TI(德州仪器)
增强模式 GaN FET 的 5A、100V 半桥接闸极驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5113SD/NOPB  MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5113SDE/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5113TME/NOPB  半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM5113LLPEVB/NOPB  评估模块, LM5113LLPEVB/NOPB, 100V半桥加强模式Gan FET驱动器
TI(德州仪器)
LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
TI(德州仪器)
LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
TI(德州仪器)
门驱动器 Automotive, 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40 to 125
National Semiconductor(美国国家半导体)
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