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LM833DR2G
器件3D模型
0.107
LM833DR2G 数据手册 (8 页)
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LM833DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
供电电流
4 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
500 mW
共模抑制比
80 dB
转换速率
7.00 V/μs
增益频宽积
15 MHz
输入补偿电压
300 µV
输入偏置电流
300 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
15 MHz
耗散功率(Max)
500 mW
共模抑制比(Min)
80 dB

LM833DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

LM833DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 1.82 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

LM833DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低噪声,音频双路运算放大器 Low Noise, Audio Dual Operational Amplifier
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
LM 系列 7 V/us 18 V 表面贴装 低噪声 音频 双通道 运算放大器 - SOIC-8
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