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LT1013DIDR
器件3D模型
1.595
LT1013DIDR 数据手册 (35 页)
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LT1013DIDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
350 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
97 dB
输入补偿漂移
500 nV/K
带宽
1 MHz
转换速率
400 mV/μs
增益频宽积
1 MHz
输入补偿电压
200 µV
输入偏置电流
15 nA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
1 MHz
共模抑制比(Min)
97 dB
电源电压
5V ~ 30V

LT1013DIDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 105℃

LT1013DIDR 数据手册

TI(德州仪器)
35 页 / 0.77 MByte
TI(德州仪器)
16 页 / 0.29 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

LT1013 数据手册

TI(德州仪器)
双路精密运算放大器
Linear Technology(凌力尔特)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013CP  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  芯片, 精密运算放大器, 2路
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DD  双运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DID  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, 4V 至 44V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments 的精密运算放大器,具有低输入偏置电压,且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性,这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流,这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
双精密运算放大器 DUAL PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013CD  运算放大器, 1 MHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, 4V 至 44V, SOIC, 8 引脚
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