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器件3D模型￥ 501.431
LTC4364IDE-2#PBF 数据手册 - Linear Technology（凌力尔特）
制造商:
Linear Technology（凌力尔特）
分类:
电池管理芯片
封装:
DFN-14
描述:
LINEAR TECHNOLOGY LTC4364IDE-2#PBF 芯片, 电涌消除器, 4/80V, 自动重试, 14DFN
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
引脚图在P7P8Hot
典型应用电路图在P1P19P20P21P24
原理图在P9
封装尺寸在P21
焊盘布局在P22P23
型号编码规则在P3
标记信息在P3
封装信息在P3
技术参数、封装参数在P4
应用领域在P1P7P8P11P12P13P14P15P16P17P18P19
电气规格在P3P4P5P6P12
导航目录
LTC4364IDE-2#PBF数据手册
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LTC4364-1/LTC4364-2
20
436412f
TYPICAL APPLICATIONS
Figure 11. Redundant Supply Diode-OR with Overvoltage Surge Protection
Figure 12. High Side Switch with Ideal Diode for Load Protection
+
OUTSENSEDGATESOURCEHGATE
TMR
C
TMRA
0.22µF
UV
OV
ENOUT
F LT
SHDN
FB
R5A
10Ω
V
INA
12V
R7A
59k
R8A
4.99k
C
OUTA
22µF
V
OUT
CLAMPED
AT 16V
M1A
FDD16AN08A0
M2A
FDD16AN08A0
R
SNSA
10mΩ
C
HGA
6.8nF
V
CC
LTC4364
+
OUTSENSEDGATESOURCEHGATE
TMR
C
TMRB
0.22µF
UV
OV
ENOUT
F LT
SHDN
FB
R5B
10Ω
V
INB
12V
R7B
59k
R8B
4.99k
436412 F11
C
OUTB
22µF
M1B
FDD16AN08A0
M2B
FDD16AN08A0
R
SNSB
10mΩ
C
HGB
6.8nF
V
CC
LTC4364
GND
GND
OUTSENSEDGATESOURCEHGATE
TMR GND
UV
SHDN
M3
VN2222
100k
OV
ENOUT
436412 F12
F LT
SHDN FB
V
IN
12V
C
LOAD
V
OUT
M1
FDB3632
M2
FDMS86101
V
CC
LTC4364
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