M29W400DB70ZE6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

MICRON  M29W400DB70N6E  闪存, 引导块, 非, 4 Mbit, 512K x 8位 / 256K x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚

NOR闪存 M29W400DB70ZE6E BGA48

4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory