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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Fujitsu(富士通) > MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 Datasheet 文档
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1
器件3D模型
2.127

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
工作电压
3V ~ 5.5V
封装
SOIC-8
存取时间
550 ns
电源电压
3V ~ 5.5V

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 数据手册

Fujitsu(富士通)
32 页 / 1.26 MByte
Fujitsu(富士通)
36 页 / 1.34 MByte

MB85RC16VPNFGJNN1 数据手册

Fujitsu(富士通)
16Kbit(2K*8bit) I2C接口 3V~5.5V
Fujitsu(富士通)
FRAM(铁电体-RAM)-存储器-IC-16Kb-(2K-x-8)-I²C-1MHz-550ns-8-SOP
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