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Datasheet 搜索 > TVS二极管 > Diodes(美台) > MBR3100VP-G1 Datasheet 文档
MBR3100VP-G1
器件3D模型
0.19
MBR3100VP-G1 数据手册 (4 页)
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MBR3100VP-G1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DO-27
正向电压
850mV @3A

MBR3100VP-G1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

MBR3100VP-G1 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.1 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.29 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.25 MByte

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