Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MBT2222ADW1T1G Datasheet 文档
MBT2222ADW1T1G
器件3D模型
0.023
MBT2222ADW1T1G 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MBT2222ADW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SC-70-6
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
35
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT2222ADW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MBT2222ADW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte

MBT2222ADW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
MBT2222ADW1T1 NPN+NPN复合三极管 75V 600mA HEF=100~300300 SOT-363/SC-88 标记XX 用于开关/数字电路
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT2222ADW1T1G.  双极性晶体管, HFE 300
Leshan Radio(乐山无线电)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: MBT2222 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z