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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MBT3946DW1T1 Datasheet 文档
MBT3946DW1T1
器件3D模型
0.04
MBT3946DW1T1 数据手册 (11 页)
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MBT3946DW1T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 A
封装
TSSOP-6
极性
NPN+PNP
漏源击穿电压
40.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
150 mW

MBT3946DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

MBT3946DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte

MBT3946DW1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T2G  双极性晶体管, NPN/PNP, 双路 40V SC-88
ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
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