器件3D模型

￥ 0.145

MBT6429DW1T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TSSOP-6

描述:

MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MBT6429DW1T1 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

MBT6429DW1T1 数据手册 (5 页)

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MBT6429DW1T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

200 mA

封装

TSSOP-6

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.2A

最小电流放大倍数

500 @100µA, 5V

额定功率(Max)

150 mW

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MBT6429DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MBT6429DW1T1 符合标准

MBT6429DW1T1 概述

MBT6429DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.21 MByte

MBT6429DW1T1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

31 页 / 0.08 MByte

MBT6429DW1 数据手册

MBT6429DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

MBT6429DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路

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