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器件3D模型
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MC33178DR2 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
SOIC-8
描述:
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
Pictures:
3D模型
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焊盘图
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MC33178DR2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
1.7 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
80 dB
转换速率
2.00 V/μs
增益频宽积
5 MHz
输入补偿电压
1.5 mV
输入偏置电流
100 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
增益带宽
5 MHz
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
4 V
查看数据手册 >
MC33178DR2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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MC33178DR2 符合标准
MC33178DR2 海关信息
MC33178DR2 概述
●
通用 放大器 2 电路 - 8-SOIC
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ON Semiconductor(安森美)
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MC33178
DG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
MC33178
DMR2G
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MC 系列 2 V/us 36 V 表面贴装 低功耗 低噪声 运算放大器 - MICRO-8
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DR2
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低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
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PG
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低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
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