Datasheet 搜索 > 逻辑控制器 > ON Semiconductor（安森美） > MC74VHCT125ADTR2G 数据手册 > MC74VHCT125ADTR2G 数据手册 3/8 页
器件3D模型￥ 0.956
MC74VHCT125ADTR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
逻辑控制器
封装:
TSSOP-14
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
导航目录
MC74VHCT125ADTR2G数据手册
Page:
of 8 Go
若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件
MC74HC125A, MC74HC126A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CC
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– 55 to
25C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
85C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
125C
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
IH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High−Level Input Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
out
= V
CC
– 0.1 V
|I
out
| 20 A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
IL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Input Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
out
= 0.1 V
|I
out
| 20 A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
OH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High−Level Output
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
IH
|I
out
| 20 A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
IH
|I
out
| 3.6 mA
|I
out
| 6.0 mA
|I
out
| 7.8 mA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.34
3.84
5.34
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.2
3.7
5.2
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
OL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
IL
|I
out
| 20 A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
IL
|I
out
| 3.6 mA
|I
out
| 6.0 mA
|I
out
| 7.8 mA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.33
0.33
0.33
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.4
0.4
0.4
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
in
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
CC
or GND
ÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
± 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
± 1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
± 1.0
ÎÎ
ÎÎ
A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
OZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Three−State Leakage
Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output in High−Impedance State
V
in
= V
IL
or V
IH
V
out
= V
CC
or GND
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
± 0.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
± 5.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
± 10
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
CC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply Current
(per Package)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
V
in
= V
CC
or GND
I
out
= 0 A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
160
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
A
NOTE:Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input t
r
= t
f
= 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
V
CC
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
– 55 to
25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
85C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
125C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
t
PLH
,
t
PHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 3)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
90
36
18
15
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
115
45
23
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
135
60
27
23
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
t
PLZ
,
t
PHZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
120
45
24
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
60
30
26
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
180
80
36
31
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
t
PZL
,
t
PZH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
90
36
18
15
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
115
45
23
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
135
60
27
23
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
t
TLH
,
t
THL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
22
12
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
75
28
15
13
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
90
34
18
15
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
in
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎ
ÎÎ
pF
ÎÎÎÎ
C
out
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum 3−State Output Capacitance (Output in High−Impedance State)
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
15
ÎÎÎÎ
15
ÎÎÎÎ
15
ÎÎ
pF
NOTE:For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
30
pF
*Used to determine the no−load dynamic power consumption: P
D
= C
PD
V
CC
2
f + I
CC
V
CC
. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
