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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Microchip(微芯) > MCP14E10-E/SN Datasheet 文档
MCP14E10-E/SN
器件3D模型
2.127
MCP14E10-E/SN 数据手册 (1 页)
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MCP14E10-E/SN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
工作电压
4.5V ~ 18V
封装
SOIC-8
上升/下降时间
25 ns
输出接口数
2 Output
输出电流
3 A
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
699 mW
上升时间
40ns (Max)
下降时间
40ns (Max)
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
30 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
669 mW
电源电压
4.5V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
4.5 V

MCP14E10-E/SN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

MCP14E10-E/SN 数据手册

Microchip(微芯)
1 页 / 0.17 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte

MCP14E10 数据手册

Microchip(微芯)
MICROCHIP  MCP14E10-E/SN  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 3A输出, 45ns延迟, SOIC-8
Microchip(微芯)
MICROCHIP  MCP14E10-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 3A输出, 45ns延迟, DIP-8
Microchip(微芯)
3.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 DFN-8
Microchip(微芯)
3.0 A 双 非反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 DFN8
Microchip(微芯)
3.0 A 双 反相 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 8-SOIC 150 mil封装
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