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MD2001FX
0.806
MD2001FX 数据手册 (11 页)
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MD2001FX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
ISOWATT-218FX-3
额定功率
58 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
58 W
增益频宽积
64 kHz
击穿电压(集电极-发射极)
700 V
集电极最大允许电流
12A
最大电流放大倍数
7
额定功率(Max)
58 W
直流电流增益(hFE)
4
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
58000 mW

MD2001FX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5.7 mm
宽度
15.7 mm
高度
26.7 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MD2001FX 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.2 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.72 MByte

MD2001 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MD2001FX  单晶体管 双极, NPN, 700 V, 58 W, 12 A, 4.5 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
对于标准清晰度CRT显示器高压NPN功率晶体管 High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display
ST Microelectronics(意法半导体)
对于标准清晰度CRT显示器高压NPN功率晶体管 High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
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