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BSC030P03NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC030P03NS3 G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, TDSON

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC030P03NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSC030P03NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

通道数

1 Channel

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

3.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

105 ns

输入电容值(Ciss)

14000pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

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BSC030P03NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC030P03NS3 G 符合标准

BSC030P03NS3 G 海关信息

BSC030P03NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.53 MByte

BSC030P03NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC030P03NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC030P03NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC030P03NS3 G 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC030P03NS3 数据手册

BSC030P03NS3GAUMA1 数据手册

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INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1 晶体管双极预偏置/数字, BRT, TDSON

BSC030P03NS3 G 数据手册

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INFINEON BSC030P03NS3 G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, TDSON

BSC030P03NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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