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MGSF1N02LT1G
0.135
MGSF1N02LT1G 数据手册 (4 页)
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MGSF1N02LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
750 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.075 Ω
极性
N-Channel
功耗
400 mW
阈值电压
1.7 V
输入电容
125 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
750 mA
上升时间
1 ns
输入电容值(Ciss)
125pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
400 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400mW (Ta)

MGSF1N02LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MGSF1N02LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MGSF1N02LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
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