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MJ11012G
5.391
MJ11012G 数据手册 (4 页)
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MJ11012G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-204-2
输出电压
60 V
输出电流
30 A
针脚数
2 Position
极性
NPN
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
30A
最小电流放大倍数
1000 @20A, 5V
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
4MHz (Min)
耗散功率(Max)
200000 mW
输入电压
5 V

MJ11012G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 200℃ (TJ)

MJ11012G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte

MJ11012 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管互补硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Solid State
SOLID STATE  MJ11012  达林顿晶体管, NPN, 30A, TO-3
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