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R6015ANZC8 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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R6015ANZC8 数据手册 (14 页)

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R6015ANZC8 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

15A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @25V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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R6015ANZC8 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Bulk

工作温度

150℃ (TJ)

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R6015ANZC8 符合标准

R6015ANZC8 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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