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MJD112 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

晶体管

封装:

DPAK-3

描述:

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD112 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页 8 页

原理图在5 页

MJD112 数据手册 (8 页)

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MJD112 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.00 A

封装

DPAK-3

极性

N-Channel

功耗

1750 mW

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000

最大电流放大倍数

12000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD112 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

最小包装数量

2500

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MJD112 符合标准

MJD112 海关信息

MJD112 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

MJD112 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.13 MByte

MJD112 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD112 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

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