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MJD117-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD117-001 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页 10 页

原理图在7 页

MJD117-001 数据手册 (10 页)

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MJD117-001 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-2.00 A

封装

TO-251-3

极性

PNP

功耗

1750 mW

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

额定功率(Max)

1.75 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD117-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Rail

高度

6.35 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD117-001 符合标准

MJD117-001 概述

MJD117-001 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.14 MByte

MJD117-001 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

31 页 / 0.08 MByte

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