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MJD117-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-251-3

描述:

MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补达林顿功率晶体管 - TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD117-1G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页 10 页

原理图在7 页

MJD117-1G 数据手册 (10 页)

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MJD117-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-2.00 A

封装

TO-251-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数

12000

额定功率(Max)

1.75 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

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MJD117-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD117-1G 符合标准

MJD117-1G 海关信息

MJD117-1G 概述

MJD117-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.14 MByte

MJD117-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.13 MByte

MJD117-1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.08 MByte

MJD117-1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

MJD1171 数据手册

MJD117-1 数据手册

Samsung（三星）

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