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MJD117G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD117G 单晶体管双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJD117G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页 10 页

原理图在7 页

MJD117G 数据手册 (10 页)

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MJD117G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-2.00 A

封装

TO-252-3

无卤素状态

Halogen Free

输出电压

100 V

输出电流

2 A

针脚数

4 Position

极性

PNP

功耗

1.75 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

热阻

71.4℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数

12000

额定功率(Max)

1.75 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

25MHz (Min)

耗散功率(Max)

1750 mW

输入电压

5 V

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MJD117G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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MJD117G 符合标准

MJD117G 海关信息

MJD117G 概述