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MJD117 数据手册
型号系列:
MJD117 系列
分类:
-
描述:
达林顿管 MJD117 TO-252-2L(4R)
文档:
MJD117G 数据手册 (18 页)
更新于: 2023/01/13 03:06:20 (UTC + 8)
MJD117 - 数据手册
#1
MJD117
G
数据手册 (18 页)
3.4
ON Semiconductor(安森美)
#2
MJD117
T4
数据手册 (13 页)
1.5
ON Semiconductor(安森美)
#3
MJD117
T4G
数据手册 (11 页)
4.5
ON Semiconductor(安森美)
#4
MJD117
T4
数据手册 (11 页)
3.2
ST Microelectronics(意法半导体)
MJD117 数据手册 -
MJD117
RLG
数据手册
11 页
ON Semiconductor(安森美)
MJD117
TF
数据手册
10 页
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD117TF 双极性晶体管, PNP, -100V
MJD117
-1G
数据手册
10 页
ON Semiconductor(安森美)
MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3
MJD117
数据手册
10 页
CJ(长电科技)
达林顿管 MJD117 TO-252-2L(4R)
MJD117
TF
数据手册
10 页
ON Semiconductor(安森美)
MJD117TF 编带
MJD117
数据手册
10 页
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117
-001
数据手册
10 页
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117
数据手册
10 页
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors
更多 MJD117 数据手册 >
MJD117 - CJ(长电科技) 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TO-252-2
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
2000mA
最小电流放大倍数
1000
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示例:
STM32F103
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