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MJD127T4G
0.293
MJD127T4G 数据手册 (12 页)
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MJD127T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数
12000
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
4MHz (Min)
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD127T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD127T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MJD127T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD127T4  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 20 W, 5 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor
Motorola(摩托罗拉)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD127T4G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 2500 hFE
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