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MJD243G
0.365
MJD243G 数据手册 (8 页)
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MJD243G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
40 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1.4 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
40 @200mA, 1V
最大电流放大倍数
180
额定功率(Max)
1.4 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

MJD243G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD243G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.44 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte

MJD243 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD243T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, 4 A, 15 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD243G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 100 V, 40 MHz, 1.4 W, 4 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
ON Semiconductor(安森美)
互补硅塑料功率晶体管DPAK - 3为表面贴装应用 Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
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