Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STW56N65M2 Datasheet 文档
STW56N65M2
15.103
STW56N65M2 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STW56N65M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
358 W
漏源极电压(Vds)
650 V
上升时间
27.5 ns
输入电容值(Ciss)
3900pF @100V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
358W (Tc)

STW56N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW56N65M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.7 MByte

STW56N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW56N65DM2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z