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MJD253T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD253T4G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页 8 页

MJD253T4G 数据手册 (8 页)

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MJD253T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

40 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-4.00 A

封装

TO-252-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

12.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

40 @200mA, 1V

最大电流放大倍数

180

额定功率(Max)

1.4 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1400 mW

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MJD253T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD253T4G 符合标准

MJD253T4G 海关信息

MJD253T4G 概述