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器件3D模型
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MJD31C 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-252-3
描述:
低电压NPN功率晶体管 Low voltage NPN power transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MJD31C 数据手册 (13 页)
封装尺寸
在
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MJD31C 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
100 V
额定电流
3.00 A
封装
TO-252-3
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
10 @3A, 4V
额定功率(Max)
15 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
查看数据手册 >
MJD31C 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
MJD31C 符合标准
MJD31C 数据手册
MJD31C
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.39 MByte
MJD31C
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CRLG 双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK
MJD31
CT4G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
MJD31
CG
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CG 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
MJD31
CT4-A
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ST Microelectronics(意法半导体)
MJD31C 系列 NPN 100 V 3A 表面贴装 低电压 功率晶体管 - TO-252
MJD31
T4G
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ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
MJD31
CT4
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STMICROELECTRONICS MJD31CT4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE
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C1G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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