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MJD44H11-001
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MJD44H11-001 数据手册 (7 页)
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MJD44H11-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-251-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
1.75 W

MJD44H11-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD44H11-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

MJD44 数据手册

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Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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