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MJD44H11G
0.458
MJD44H11G 数据手册 (10 页)
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MJD44H11G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
85 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
6.25℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD44H11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MJD44H11G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte

MJD44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
通用功率和应用的D- PAK表面贴装应用切换如输出或驱动器级 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
Motorola(摩托罗拉)
ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅PNP晶体管 COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
Rectron Semiconductor
Freescale(飞思卡尔)
Samsung(三星)
Microsemi(美高森美)
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