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MJD44H11T4
0.187
MJD44H11T4 数据手册 (11 页)
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MJD44H11T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
20 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

MJD44H11T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD44H11T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

MJD44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11RLG  功率晶体管, NPN, 80V, D-PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 Complementary power transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD44H11TM  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS
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