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MJD45H11RL
0.259
MJD45H11RL 数据手册 (7 页)
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MJD45H11RL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-8.00 A
封装
DPAK-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A

MJD45H11RL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

MJD45H11RL 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

MJD45H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 Complementary power transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
通用功率和应用的D- PAK表面贴装应用切换如输出或驱动器级 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
Motorola(摩托罗拉)
Rectron Semiconductor
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11RLG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE
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