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MJD47T4G
0.273
MJD47T4G 数据手册 (6 页)
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MJD47T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
1.56 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @300mA, 10V
额定功率(Max)
1.56 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1560 mW

MJD47T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD47T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJD47T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
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