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MJD50G
0.378
MJD50G 数据手册 (6 页)
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MJD50G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
1.56 W
增益频宽积
10 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
热阻
8.33℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @300mA, 10V
额定功率(Max)
1.56 W
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1560 mW

MJD50G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJD50G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.36 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte

MJD50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性D- PAK表面贴装应用 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor(安森美)
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD50T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD50G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ST Microelectronics(意法半导体)
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