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MJE200TSTU
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MJE200TSTU 数据手册 (4 页)
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MJE200TSTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-126-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
45 @2A, 1V
额定功率(Max)
15 W
耗散功率(Max)
15 W

MJE200TSTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

MJE200TSTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte

MJE200 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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