￥ 0.225

ZVN2110A 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET- TO-92

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN2110A 数据手册 (3 页)

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ZVN2110A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

230 mA

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 mW

阈值电压

2.4 V

输入电容

75.0 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

320 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700 mW

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ZVN2110A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVN2110A 符合标准

ZVN2110A 概述

ZVN2110A 数据手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.05 MByte

ZVN2110A 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

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