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MJE210STU
0.184
MJE210STU 数据手册 (4 页)
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MJE210STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
45 @2A, 1V
额定功率(Max)
15 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

MJE210STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJE210STU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.15 MByte

MJE210 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管塑料 Complementary Silicon Power Plastic Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
硅PNP晶体管 SILICON PNP TRANSISTOR
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
特征 Feature
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
New Jersey Semiconductor
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