￥ 0.242

MJE253G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJE253G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MJE253G 数据手册 (6 页)

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MJE253G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

40 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-4.00 A

封装

TO-126-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

15 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

热阻

8.34℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

40 @200mA, 1V

最大电流放大倍数

180

额定功率(Max)

1.5 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

15000 mW

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MJE253G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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MJE253G 符合标准

MJE253G 海关信息

MJE253G 概述