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MJE3055TG
0.579
MJE3055TG 数据手册 (4 页)
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MJE3055TG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
75 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
额定功率(Max)
75 W
直流电流增益(hFE)
2
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
75000 mW

MJE3055TG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MJE3055TG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE3055 数据手册

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NPN 10A/60V 75W 大功率音频功放管。
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互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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