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MJE350G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJE350G 单晶体管双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJE350G 数据手册 (2 页)

封装尺寸在2 页

MJE350G 数据手册 (2 页)

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MJE350G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-300 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

20 W

击穿电压(集电极-发射极)

300 V

热阻

6.25℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

20 W

直流电流增益(hFE)

240

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

20000 mW

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MJE350G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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MJE350G 符合标准

MJE350G 海关信息

MJE350G 概述

MJE350G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.11 MByte

MJE350G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.23 MByte

MJE350G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MJE350G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.09 MByte

MJE350G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 1.83 MByte

MJE350G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

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